8月18日,据韩国《每日经济》报道,一名曾在三星工作28年、后参与中国存储芯片制造商长鑫存储(CXMT)创立的全姓工程师,近日在首尔中央地方法院作证称,长鑫存储2016年成立之初,包括CEO、CTO在内的管理层就计划取得三星的DRAM核心工艺资料,而非从零开始自主研发。
全某称,当时公司“没有研究所,也没有设备”,并通过高薪招揽韩国半导体工程师。随后三星18纳米DRAM的“工艺配方计划”(PRP)遭泄露,其中包含约600道制造工序、设备及具体工艺条件。三星为开发相关技术耗时约5年,投入约1.6万亿韩元。
韩国检方指控,长鑫存储取得相关资料后,将三星的工艺信息转换为适用于中国工厂设备的生产参数,从而省去大量研发和试错过程。长鑫存储此后实现DRAM量产,目前已成为全球第四大DRAM厂商。
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